LDMOST相关论文
文章讨论了内场限环结构ＬＤＭＯＳＴ的参数优化和器件耐压问题，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式．同时，对ＬＤＭＯＳＴ的优化结构......
提出了一种具有n+浮空层的横向super junction结构,此结构通过磷或砷离子注入在高阻衬底上形成n+浮空层来消除传统横向super junct......
引言市场上能买到的功率MOSFET多半都是纵向结构器件。过去,纵向方法提供的通电导阻率(R_(on).A)比横向方法提供的低得多。例如,4......
A new super-junction lateral double diffused MOSFET (LDMOST) structure is designed with n-type charge compensation layer......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面参杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化的耐压......
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文章讨论了内场限环结构ＬＤＭＯＳＴ的参数优化和器件耐压问题，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时，对ＬＤＭＯＳＴ的优化结......
本文提出了一种新型的内置ＦＲ／ＪＴＥ横向ＤＭＯＳ结构，并对其进行了耐压 与ＲＥＳＵＲＦ上媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，相对于内场限环结......
提出了一种具有n^＋浮空层的横向superjunction结构，此结构通过磷或砷离子注入在高阻衬底上形成n^＋浮空层来消除传统横向superjunction......
提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行了整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种......
降低表面电场原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ的优......
